Артем Оганов – профессор Сколтеха и МИСиС, доктор физико-математических наук. В 1997 г. окончил с отличием МГУ, в 2002 г. защитил кандидатскую диссертацию в Университетском Колледже Лондона, в 2007 г. докторскую в Швейцарском Политехническом Институте Цюриха (ETH Zurich, где в 2003-2008 гг. был ведущим научным сотрудником). В 2008 г. стал доцентом, а в 2010 г. профессором (Full Professor) Стонибрукского Университета (США). В 2013 г. получил мегагрант Правительства России и в 2014 г. вернулся в Россию. С 2015 г. является профессором Сколковского Института Науки и Технологий (Сколтех), а с 2020 г. – профессором МИСиС, где с 2021 г. заведует кафедрой Материаловедения полупроводников и диэлектриков.
Опубликовал >300 научных работ, цитируемость которых более 25000, индекс Хирша 73. Лауреат ряда премий, включая премии Президента Лондонского Геологического Общества (2002), Европейского Союза Наук о Земле для молодых ученых (2003), Медали Европейского Минералогического Союза (2007), премии им. Г. Гамова (2017), премию Дружбы правительства Китая. Был избран:
-в 2013 г. действительным членом (Fellow) Американского Минералогического Общества
-в 2015 г. профессором РАН
-в 2017 г. членом Европейской Академии (Academia Europaea)
-в 2020 г. действительным членом (Fellow) Королевского Химического общества и Американского Физического общества.
В 2011 г. создал и до 2017 г. возглавлял Комиссию по Кристаллографии Материалов при Международном Союзе Кристаллографов. В 2017-2020 гг. был членом Президентского Совета по Науке и Образованию.
